יבמ ויצרניות שבבים נוספות יציגו ב-2010 מעבדים בטכנולוגיה של 28 ננו-מטר

שורה של יצרניות שבבים, ובראשן יבמ, הודיעו בסוף השבוע, כי בכוונתן להתחיל בשנה הבאה בייצור משותף של שבבים בטכנולוגיה של 28 ננו-מטר – ובכך להקדים את אינטל במרוץ המזעור. על פי ההודעה, השבבים החדשים אף יהיו בעלי צריכת חשמל חסכונית יותר ויעניקו עוצמה גבוהה יותר בהשוואה לשבבים מהדור הנוכחי.

בין יצרניות השבבים שמשתפות פעולה עם יבמ בפיתוח הטכנולוגיה החדשה נמנות Chartered Semiconductors Manufacturing, GlobalFoundries, Infineon Technologies, סמסונג אלקטרוניקס ו-STMicroelectronics. היצרניות הודיעו, כי הטכנולוגיה תהיה בשלה ל-"שלבי ייצור ראשוניים" במחצית השנייה של 2010 – תקופה שבה אינטל תהיה עדיין בעיצומו של עידן ה-32 ננו-מטר. בכוונת אינטל להציע שבבים ראשונים בטכנולוגיה של 32 ננו-מטר רק במחצית השנייה של השנה הנוכחית.

הטרנזיסטורים של השבבים החדשים ייוצרו מ-HKMG (ר"ת High-K Metal Gate). חומר זה מאפשר להגיע לרמה גבוהה של מזעור, על מנת להשיג עוצמה גבוהה יותר וצריכת חשמל נמוכה יותר. בזכות מאפיינים אלה מתאימים המעבדים מאוד גם לטלפונים חכמים ומכשירים ניידים לגלישה באינטרנט, ולא רק למחשבי PC.

יצרניות השבבים, אשר מייצרות כיום מעבדים בטכנולוגיה של 32 ננו-מטר, הבטיחו, כי הלקוחות יוכלו לעבור למעבדים החדשים והיעילים יותר, בטכנולוגיה של 28 ננו-מטר, ללא צורך בשינויים משמעותיים. הממדים של השבבים שמיוצרים בטכנולוגיה החדשה הם כמחצית מאלה של מעבדים אשר מיוצרים כיום בטכנולוגיה של 45 ננו-מטר, הביצועים שלהם טובים בשיעור של 40%, וצריכת החשמל שלהם נמוכה ב-20%.

יצוין כי GlobalFoundries הודיעה בסוף מרץ, כי היא מתכוונת להתחיל לקבל הזמנות לייצור בתהליך של 32 ננו-מטר כבר ב-2009, ולהתחיל את הייצור עצמו ברבעון הראשון של 2010. GlobalFoundries היא מיזם משותף של AMD – המתחרה הבולטת ביותר של אינטל – ושל Advanced Technology Investment, חברה שנמצאת בבעלותה של ממשלת אבו-דאבי.