סמסונג: פיתוח זיכרון פלאש תלת ממדי עתיד לשנות את עולם הנייד

סמסונג (Samsung) הציגה זיכרון הבזק (פלאש) חדש שיכול לשנות באופן משמעותי את נפחי האחסון שמוצעים כיום בעולם הנייד. הזיכרון, שמכונה V-NAND, מוגדר כזיכרון תלת ממדי והוא יאפשר להציע מכשירים בנפחים שיתחילו ב-128 ג'יגה-בייט, ובאופן פוטנציאלי גם יגיעו עד 1 טרה-בייט נפח אחסון.

זיכרונות בנפחים כאלו ייתרו כמובן את השימוש בכרטיסי הרחבה, שנפוצים מאוד כיום. זאת מכיוון שרוב הטלפונים החכמים והטאבלטים מוצעים בגרסאות של 16 ו-32 ג'יגה-בייט בלבד.

השינוי העיקרי בזיכרונות החדשים לעומת ה-NAND המסורתיים, הוא שמודולי הזיכרון מונחים זה מעל זה במקום זה לצד זה. בכך ניתן לחסוך שטח יקר ולהציע זמני עבודה מהירים יותר. על פי הענקית הקוריאנית, היא הצליחה להרכיב 24 רכיבי זיכרון NAND זה מעל זה במהלך המחקר והפיתוח של הזיכרונות החדשים.

בחברה מספרים שלא פחות מ-10 שנות מחקר הושקעו בפיתוח החדש וכי זיכרונות אלו מוגנים בכ-300 פטנטים. בסמסונג צופים שילוב שלהם בכונני SSD עוד לפני סוף השנה הנוכחית, ולהיכנס לתחום הטלפונים והטאבלטים במהלך החציון הראשון של 2014.

יצוין, כי החברה לא פירטה אודות עלויות הזיכרונות החדשים.