אינטל מעוניינת להחליף את הסיליקון במעבדים

אינטל (Intel) מחפשת בימים אלה חומרים חדשים שיחליפו את הסיליקון בו היא משתמשת כיום, אם לדור הייצור ב-7 ננו-מטר ואם לדור שלאחריו. מעבדי ה-10 ננו-מטר, בכל מקרה, עדיין ייוצרו בסיליקון "רגיל".

בשיחה עם עיתונאים אמר מרק בוהר, עמית בכיר בחברה, כי חוק מור (Moore's Law) ימשיך להיות פעיל גם בייצור של מעבדי ה-7 ננו-מטר, דור המעבדים שאמורה אינטל (Intel) להשיק לקראת 2018. עוד קודם לכן, בסוף השנה הבאה או בתחילת 2017, היא עתידה להשיק את מעבדי ה-10 ננו-מטר.

בוהר אמר את הדברים לקראת כנס ISSCC (ר"ת International Solid-State Circuits Conference) שייערך השבוע בסן פרנסיסקו. בכנס ידונו המשתתפים בשאלה מה יקרה ביום אחרי שלא ניתן יהיה יותר ליישם את חוק מור, ולא להשתמש בסיליקון כדי לשבץ את המספר הגדל וההולך של הטרנזיסטורים בכל דור ודור של המעבדים.

החוק, שנקבע על ידי מקים אינטל, גורדון מור, לפני 50 שנים, קובע שצפיפות הטרנזיסטורים המשובצים במעבדים מכפילה את עצמה בכל 18 חודשים. עד עתה הוא נשמר בהצלחה ובא לידי ביטוי היטב במשפחות החדשות של מעבדי ה-Core. אלה שומרות על החוק על ידי הקטנת הסיליקון מצד אחד והוספת טרנזיסטורים בצד שני, בתהליך אותו מכנה אינטל טיק-טוק.

כבר ב-2011 צפה בראיון ל-BBC מייק מייברי, מנהל מחקר רכיבים באינטל, כי במרחק של 10 שנים מאז צריך יהיה להחליף את החומרים – ואולי גם את חוק מור.

אחד החומרים שאינטל שוקלת כתחליף הוא תרכובת אינדיום גליום ארסנית (InGaAr), שהמוליך למחצה שנבנה סביבה מכונה III-V וכבר נמצא בשימוש בתעשיות האלקטרוניקה והאופטו-אלקטרוניקה. חומר אחר עליו מדובר מכונה גרפין (Graphene) – גוף פחמן שקוף לחלוטין בעובי של אטום בודד.

דרך אחרת לפתור את הבעיה היא להשתמש בסוגים אחרים של אריזה של שבבים, כמו 2.5D, בו פיסות נפרדות מוצבות זו לצד זו על מתווך, או 3D, שהוא מארז בו מציבים את פיסות הסיליקון ישירות אחת מעל השנייה.

הבעיה בשימוש בסיליקון בליטוגרפיה של 7 ננו-מטר היא לאפשר מעבר אור בזמן הייצור כדי להפריד בין המרכיבים. ההמשך לפי שיטה זו אומר שימוש בטכנולוגיות ייצור יקרות ואפילו די אזוטריות, כמו לייזרים שעובדים בטווח האולטרה-סגול.