אינטל ומיקרון חשפו טכנולוגיית זיכרון המהירה פי 1,000 מ-NAND

החברות יחלו, בפעם הראשונה מזה 25 שנים, בייצור סוג חדש של זיכרונות בלתי-נדיפים, באמצעות טכנולוגיית 3D cross-point

טכנולוגיית זיכרון המהירה,3D Xpoint

אינטל (Intel) ומיקרון (Micron) חשפו זיכרון מסוג חדש שיוצר קטגוריה חדשה בתחום הזיכרון הנדיף, בפעם הראשונה מזה 25 שנים. הטכנולוגיה של הזיכרון החדש, המכונה 3D Xpoint, משלבת רמת ביצועים, צפיפות, צריכת חשמל ואת תכונות אי-הנדיפות שעולות על כל מה שיש לטכנולוגיות הזיכרון הקיימות כיום בשוק להציע – כך לפי החברות.

הטכנולוגיה מבוססת על שילוב של מערכי צמתים שמורכבים ממוליכים שמחברים זה לזה 128 מיליארד תאי זיכרון במבנה קומפקטי במיוחד, כשכל תא שנוצר עקב השילוב הזה מאחסן ביט יחיד של נתונים. בנוסף, כפי שניתן ללמוד משם הטכנולוגיה, היא מאפשרת שילוב תלת מימדי של מערכי צמתים כאלה בערמה שמכילה מספר שכבות. עם ההכרזה ניתן כבר לשלב שתי שכבות ברכיב זיכרון יחיד, ובסך הכל 128 ג'יגה-בייט לכל היותר בכל רכיב, אך בהמשך טוענות החברות שניתן יהיה להגדיל את מספר השכבות, וכתוצאה מכך גם את נפח הזיכרון ביחידה בודדת.

בנוסף, זיכרונות המבוססים על הטכנולוגיה החדשה אמורים לפעול במהירות גבוהה יותר מכל זיכרון שמוצע כיום בשוק, ולפי ההודעה של אינטל ומיקרון מדובר במהירות שגבוהה עד פי 1,000 לעומת מהירויות זיכרונות ה-NAND שנמצאים בשימוש שכיח ונרחב במכשירים ניידים, ועם מהירות גלישה של ננו-שניות. רק לצורך השוואה, מהירויות הגלישה לנתונים בכוננים קשיחים סטנדרטיים, המבוססים על פלטות ומנגנון מכני, נמדדות באלפיות-שנייה.

"משך הזמן שלוקח למעבד להגיע לנתונים באחסון ארוך טווח הוא אחת המשוכות הגבוהות ביותר של המחשוב המודרני. הקטגוריה החדשה שיצרנו של זיכרונות בלתי נדיפים היא מהפיכה המאפשרת גישה מהירה למערכי נתונים עצומים", אמר מארק אדאמס, נשיא מיקרון. כן ציין כי בזכות הטכנולוגיה הזו ניתן יהיה לפתח יישומים חדשים לגמרי.

"במשך עשרות שנים חיפשה התעשייה אחר דרכים לקיצור השיהוי בין המעבד והנתונים, על מנת לאפשר ניתוח מהיר יותר. הקטגוריה החדשה של זיכרונות בלתי-נדיפים משיגה את המטרה ומספקת ביצועים המשנים את כללי המשחק בפתרונות זיכרון ואחסון", ציין רוב קרוק, סגן נשיא בכיר ומנכ"ל קבוצת פתרונות הזיכרונות הבלתי-נדיפים באינטל.

באינטל הוסיפו כי הם מאמינים כי הטכנולוגיה החדשה לא תחליף את טכנולוגיית הזיכרון DRAM, שתמשיך לשרת את מחשבי ה-PC, אלא תשלים אותה. בנוסף, נמסר כי מוצרי זיכרון ראשונים המבוססים על טכנולוגיית הזיכרון החדשה יגיעו לשוק כבר במהלך 2016.

תגובות

(1)

כתיבת תגובה

האימייל לא יוצג באתר. שדות החובה מסומנים *

אין לשלוח תגובות הכוללות דברי הסתה, דיבה, וסגנון החורג מהטעם הטוב

  1. תומר

    לא הבנתי זה זכרון נדיף או לא נדיף בהתחלה רשום שזה קטגורה נדיפה ואחר מכן משווים את הטכנולוגיה של הרד דיסק כאילו המטרה להחליף את ההארד דיסק אז תחליטו ותסבירו יותר טוב

אירועים קרובים